MICRO GRANIT 晶圓/寶石翹曲平坦度測量儀

產(chǎn)品型號：Wafercom 300
更新時間：2026-07-08

簡要描述：日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石翹曲平坦度測量儀 Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測量儀，專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測。它能精準測量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù)，適用于半導體制造、LED（藍寶石基板）及科研領域，確保晶圓加工質(zhì)量。

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產(chǎn)品詳情

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	國產(chǎn)
應用領域	環(huán)保,化工,能源,電子/電池,綜合

Wafercom 300是土井精密ラップ株式會社推出的一款專用于300mm裸晶圓的多功能高精度測量設備。該設備基于其專的利的MICRO GRANITE®技術，旨在為半導體制造過程中的關鍵幾何參數(shù)提供精準的非接觸式檢測。

MICRO GRANIT 晶圓/寶石翹曲平坦度測量儀

核心技術與測量能力

設備的核心優(yōu)勢在于其卓的越的穩(wěn)定性和精度。為最大限度減少測量過程中的振動干擾，Wafercom 300在Y軸（前后軸）和θ軸（旋轉(zhuǎn)軸）上采用了來自印度的黑色花崗巖基座與高精度空氣軸承結(jié)構(gòu)。結(jié)合硅透過式變位傳感器，設備能夠非接觸地精確檢測硅晶圓的厚度。

通過將采集的數(shù)據(jù)傳輸至PC進行分析，Wafercom 300可全面評估晶圓的多種形狀參數(shù)，包括全局平坦度（Global flatness）、局部平坦·度（Site flatness）、翹曲（Warp）、彎曲（Sori）以及邊緣翹曲（Edge roll-off），為晶圓質(zhì)量控制提供詳盡的數(shù)據(jù)支持。

關鍵規(guī)格與注意事項

晶圓尺寸：300mm
測量分辨率：0.2μm
重復精度：0.2μm
設備尺寸：600(W)×800(D)×1400(H) mm
重量：約300kg

在使用時需注意，進行厚度測量要求晶圓表面為鏡面，且表面粗糙度需達到約#2000 mesh以上。若需測量藍寶石晶圓（Sapphire Wafer），則必須更換為專用的光學探頭。

日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石翹曲平坦度測量儀 Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測量儀，專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測。它能精準測量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù)，適用于半導體制造、LED（藍寶石基板）及科研領域，確保晶圓加工質(zhì)量。

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